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TitleAuthors Date of Issue
Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 -X線トポグラフィーによる観測-前濱, 剛廣; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Afuso, ChushinMar-1986
Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と二次元欠陥 -エッチング法による観測-前濱, 剛廣; Maehama, TakehiroOct-1984
X線二結晶法によるSiO_2-GaAs基板の反りの曲線分布の測定前濱, 剛廣; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Afuso, ChushinSep-1991
X線二結晶法によるストライプ状SiO_2/GaAs基板の格子歪の測定前濱, 剛廣; 新里, 樹; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Shinzato, Itsuki; Afuso, ChusinMar-1994
X線二結晶法によるストライプ状SiO_2/GaAs基板の格子歪分布の測定前濱, 剛廣; 新里, 樹; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Shinzato, Itsuki; Afuso, Chusin1-Sep-1994
バイメタルモデルによる基板エピタキシャル層間格子定数差の測定前濱, 剛廣; 宮里, 博明; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Miyazato, Hiroaki; Afuso, ChushinSep-1989
変形バイメタルモデルによる拡散不純物表面濃度の決定前濱, 剛廣; 宮里, 博明; 宮城, 洋一郎; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Miyasato, Hiroaki; Miyagi, Yoichiro; Afuso, ChushinMar-1990
多孔質シリコン3次元周期構造作製その構造・特性評価前濱, 剛廣; 比嘉, 晃; 曽根川, 富博; Maehama, Takehiro; Higa, Akira; Sonegawa, TomihiroMay-2004
気相エピタキシャル成長GaAsの表面模様と結晶欠陥との対応前濱, 剛廣; 中西, 英俊; 安冨祖, 忠信; Maehama, Takehiro; Nakanishi, Hidetoshi; Afuso, ChushinMar-1987
転位線のエッチング速度前浜, 剛廣; Maehama, Takehiro; 前濱, 剛廣Sep-1982

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